Service
Funktion und Verwendung
Für Demonstrationsversuche zur Elektrik.
Ausstattung und technische Daten
- Silicium-Epitaxial-NF-Transistor.
- Bausteingröße (mm): 82 x 82.
- Kontaktsicherheit durch Puzzleverzahnung.
- Linienbreite: 4 mm.
- Durchmesser der Kontaktfläche: 2 mm.
- Widerstand eines Kontaktes: ca. 0,02 Ohm.
- Max. Stromstärke: 2 A, kurzzeitig 5 A.
- Spannung UCEO: 45 V.
- Stromstärke IB: 100 mA.
- Leistung P: 0,5 W.
Gerätename
Artikel-Nr.:
Digitale Lerninhalte
Artikel-Nr.: P1401600
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